Осъществено от 5-то поколение V-NAND на Samsung, новото Universal Flash Storage предлага 20 пъти повече място за съхранение от 64 GB вътрешна памет и 10 пъти по-бърза скорост от стандартна microSD карта за приложения с интензивни данни.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., световен лидер в усъвършенстваните технологии за памет, днес обяви масовото производство на първото в индустрията интегрирано универсално флаш съхранение (eUFS) 2.1 с размер на терабайта за използване в мобилни приложения от следващо поколение. Само четири години след обявяването на първото UFS решение, 128GB eUFS, Samsung надхвърли дългоочаквания лимит от един терабайт за съхранение на смартфон. Ентусиастите на смартфони скоро ще могат да се насладят на капацитет за съхранение, сравним с този на премиум преносим компютър, без да се налага да добавят допълнителни карти с памет към мобилните си телефони.
„Очаква се 1TB eUFS да играе важна роля в създаването на подобрено потребителско изживяване на мобилни устройства от следващо поколение, подобно на това на преносимите компютри“, каза Чеол Чой, изпълнителен вицепрезидент по продажбите и маркетинга на паметта в Samsung Electronics. „Samsung също така се ангажира да осигури най-надеждната верига за доставки и достатъчни производствени обеми, за да подкрепи пускането на предстоящи флагмански смартфони, с цел ускоряване на растежа на световния пазар на мобилни телефони.“
Поддържайки същия размер на опаковката (11.5 mm x 13.0 mm), решението 1TB eUFS удвоява капацитета на предишната версия от 512 GB, комбинирайки 16 слоя по-модерна 512 GB V-NAND флаш памет и новоразработен собствен контролер на паметта. Потребителите на смартфони ще могат да съхраняват 260 десетминутни видеоклипа в 4K UHD резолюция (3840X2160), докато стандартният 64GB eUFS, показван от повечето съвременни смартфони, може да съхранява 13 видеоклипа със същия размер.
1TB eUFS е изключително бърз, позволявайки на потребителите да прехвърлят голямо мултимедийно съдържание за значително по-малко време. При скорости до 1.000 мегабайта в секунда (MB/s), новият eUFS има около два пъти по-висока скорост на последователно четене от стандартния 2.5-инчов SATA SSD. Това означава, че 5GB Full HD видеоклипове могат да бъдат изтеглени на NVMe SSD само за пет секунди, което е 10 пъти по-бързо от стандартната microSD карта. В допълнение, скоростта на произволно четене е увеличена с 38% в сравнение с версията от 512 GB, достигайки 58.000 500 IOPS. Случайните регистрации са 100 пъти по-бързи от високопроизводителна microSD карта (50.000 IOPS), достигайки 960 XNUMX IOPS. Случайните скорости позволяват непрекъснато високоскоростно снимане при XNUMX кадъра в секунда и дават на потребителите на смартфони възможност да се възползват максимално от възможностите на множество камери на съвременните устройства и флагманите от следващо поколение.
През първата половина на 2019 г. Samsung планира да разшири производството на следващото поколение V-NAND 512GB в завода си в Корея, за да управлява голямото търсене на дългоочаквания 1TB eUFS от производителите на мобилни устройства по целия свят.
[the_ad_group id = ”966 ″]
