Η Samsung Electronics, световен лидер в модерните технологии за памет, обяви масово производство на мобилна DRAM с най-висок капацитет.
Η новата мобилна DRAM е първата индустрия с 4X размери 12-гигабайта (GB), ниска мощност, двойна скорост на данни (LPDDR4X) - оптимизиран за утрешните първокласни смартфони. С по-висок капацитет от повечето ултра-тънки преносими компютри, новата мобилна DRAM ще позволи на потребителите да се възползват максимално от всички функции на смартфон от следващо поколение.
„С пускането на масовото производство на новия LPDDR4X, Samsung завършва пълна гама от усъвършенствани продукти за памет, които ще подобрят новата ера на смартфоните, включително решения за съхранение от 12GB мобилна DRAM до 512GB eUFS 3“, каза Sewon Chun, изпълнителен заместник Президент на маркетинга на паметта на Samsung Electronics. „Освен това, с LPDDR4X, ние укрепваме позицията си като производител на първокласна мобилна памет, за да обслужваме ефективно бързо нарастващото търсене на производителите на смартфони по целия свят.“
Благодарение на 12GB мобилна DRAM, производителите на смартфони могат да увеличат максимално възможностите на устройства с повече от пет камери, непрекъснато нарастващ размер на екрана, както и изкуствен интелект (AI) и 5G функции. С новата 12GB DRAM, потребителите на смартфони могат да изпълняват много задачи едновременно и безпроблемно, да търсят по-бързо, да навигират без усилие между множество приложения, на много големи екрани с по-висока разделителна способност. Освен това, неговият тънък дизайн (само 1.1 мм) служи на елегантния, семпъл дизайн на смартфоните.
Капацитетът от 12 GB беше постигнат с комбинацията от шест (6) LPDDR4X чипа, всеки 16-гигабитов, базиран на обработка от второ поколение от 10nm (1y-nm), в един пакет, освобождавайки повече място за батерията на смартфона. В допълнение, използвайки 1y-nm технологията на Samsung, новата 12GB мобилна памет осигурява скорост на трансфер на данни до 34.1GB в секунда, като същевременно намалява неизбежното увеличение на консумацията на енергия, причинено от увеличаването на капацитета на DRAM.
След пускането на 1GB мобилна DRAM през 2011 г., Samsung продължава да води развитието на пазара на мобилна DRAM памет, с въвеждането на 6GB мобилна DRAM през 2015 г., 8GB през 2016 г. и въвеждането на първия 12GB LPDDR4X. От най-съвременната производствена линия за памет в Корея, Samsung планира да утрои повече от три пъти предлагането на 8GB и 12GB мобилни DRAM, базирани на 1y-nm, през втората половина на 2019 г., за да отговори на очакваното голямо търсене.
График за производство на Samsung Mobile DRAM: Масово производство
| Дата | Капацитет | Мобилна DRAM |
| февруари 2019 г | 12GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Юли 2018 г | 8GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| април 2018 г | 8GB (разработка) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| септември 2016 г | 8GB | 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| август 2015 г | 6GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| декември 2014 г | 4GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| септември 2014 г | 3GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| ноем. 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Юли 2013 г | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| април 2013 г | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| август 2012 г | 2GB | 30nm клас 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1 / 2GB | 30nm клас 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm клас 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm клас 1Gb MDDR, 400Mb/s |
ΜНе забравяйте да се присъедините (регистрирате) в нашия форум, което може да стане много лесно чрез следния бутон...
(Ако вече имате акаунт в нашия форум, не е необходимо да следвате връзката за регистрация)
Присъединете се към нашата общност
Следвайте ни в Telegram!
